泰興市航順電子有限公司與您共同學(xué)習(xí)真正接觸電阻應(yīng)由以下幾部分組成
1) 集中電阻
電流通過實(shí)際接觸面時(shí)，由于電流線收縮（或稱集中）顯示出來的電阻。將其稱為集中電阻或收縮
電阻。
2) 膜層電阻
由于接觸表面膜層及其他污染物所構(gòu)成的膜層電阻。從接觸表面狀態(tài)分析；表面污染膜可分為較堅(jiān)
實(shí)的薄膜層和較松散的雜質(zhì)污染層。故確切地說，也可把膜層電阻稱為界面電阻。
3) 導(dǎo)體電阻
實(shí)際測(cè)量電連接器接觸件的接觸電阻時(shí)，都是在接點(diǎn)引出端進(jìn)行的，故實(shí)際測(cè)得的接觸電阻還包含接觸表面以外接觸件和引出導(dǎo)線本身的導(dǎo)體電阻。導(dǎo)體電阻主要取決于金屬材料本身的導(dǎo)電性能，它與周圍環(huán)境溫度的關(guān)系可用溫度系數(shù)來表征。為便于區(qū)分，將集中電阻加上膜層電阻稱為真實(shí)接觸電阻。而將實(shí)際測(cè)得包含有導(dǎo)體電阻的稱為總接觸電阻.在實(shí)際測(cè)量接觸電阻時(shí)，常使用按“開爾文電橋四端子法”原理設(shè)計(jì)的接觸電阻測(cè)試儀（毫歐計(jì)），其專用夾具夾在被測(cè)接觸件端接部位兩端，故實(shí)際測(cè)量的總接觸電阻 R 由以下三部分組成，可由下式表示：
R= RC + Rf + Rp,
式中：RC—集中電阻；Rf—膜層電阻；Rp—導(dǎo)體電阻。
接觸電阻檢驗(yàn)?zāi)康氖谴_定電流流經(jīng)接觸件的接觸表面的電觸點(diǎn)時(shí)產(chǎn)生的電阻。如果有大電流通過高阻觸點(diǎn)時(shí)，就可能產(chǎn)生過分的能量消耗，并使觸點(diǎn)產(chǎn)生危險(xiǎn)的過熱現(xiàn)象。在很多應(yīng)用中要求接觸電阻低且穩(wěn)定，以使觸點(diǎn)上的電壓降不致影響電路狀況的精度。測(cè)量接觸電阻除用毫歐計(jì)外,也可用伏-安計(jì)法，安培-電位計(jì)法。在連接微弱信號(hào)電路中，設(shè)定的測(cè)試參數(shù)條件對(duì)接觸電阻檢測(cè)結(jié)果有一定影響。因?yàn)榻佑|表面會(huì)附 有氧化層，油污或其他污染物，兩接觸件表面會(huì)產(chǎn)生膜層電阻。由于膜層為不良導(dǎo)體，隨膜層厚度增加.接觸電阻會(huì)迅速增大。膜層在高的接觸壓力下會(huì)機(jī)械擊穿，或在高電壓、大電流下會(huì)發(fā)生電擊穿。但對(duì)某些小型連接器設(shè)計(jì)的接觸壓力很小，工作電流電壓僅為 mA 和 mV 級(jí)，膜層電阻不易被擊穿，接觸電阻增大可能影響電信號(hào)的傳輸。 在 GB5095“電子設(shè)備用機(jī)電元件基本試驗(yàn)規(guī)程及測(cè)量方法” 中的接觸電阻測(cè)試方法之一，“接觸電 阻-毫伏法” 規(guī)定，為防止接觸件上膜層被擊穿，測(cè)試回路交流或直流的開路峰值電壓應(yīng)不大于 20mV，交流或直流的測(cè)試中電流應(yīng)不大于 100mA。 在 GJB1217“電連接器試驗(yàn)方法” 中規(guī)定有“低電平接觸電阻” 和“接觸電阻” 兩種試驗(yàn)方法。其中低 電平接觸電阻試驗(yàn)方法基本內(nèi)容與上述 GB5095 中的接觸電阻-毫伏法相同。目的是評(píng)定接觸件在加上 更多詳情請(qǐng)咨詢：http://www.rrxf.org.cn
